ジョレス・アルフョーロフ
ヘテロ接合 （microscopelabo.jp HPより）
今、最も注目される急成長LED産業 〜設備投資すれば、直ぐ生産できるのか？〜 オリンパス
現在、話題になっている白色LEDの場合は、n-AlGaN/GaInN/p-AlGa N構造の図のようなダブルへテロ接合が用いられる。
http://microscopelabo.jp/trend/011/
ジョレス・アルフョーロフ ウィキペディア（Wikipedia）より
ジョレス・イヴァノヴィチ・アルフョーロフ（Zhores Ivanovich Alferov、1930年3月15日 - ）は、ヘテロ接合の物理学に多大な貢献を残したロシア人物理学者である。
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『すごいぞ! 身のまわりの表面科学 ツルツル、ピカピカ、ザラザラの不思議』 日本表面科学会／編 ブルーバックス 2015年発行
【ノーベル賞】 ジョレス・アルフョーロフ――情報通信技術における基礎研究（高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発） （一部抜粋しています）
ジョレス・アルフョーロフ（画像参照）は、1930年、ベラルーシに生まれました。1953年からはソ連科学アカデミーのヨッフェ物理学技術研究所で半導体素子の研究開発に従事しました。異なる種類の半導体を接合することをヘテロ接合技術といいますが、アルフョーロフは、この技術が、性能の高い発光素子や受光素子を実現するために極めて重要な役割を果たすことを実証しました。ヘテロ接合を利用すると電子や光を半導体素子の限られた領域に閉じ込めることができ、発光や光の増幅といった現象を高い確率で発生させることができます。この技術を利用して、半導体レーザや発光ダイオード（LED）といった素子が実現されました。
2000年、彼は「高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発」の功績により、同じ研究分野のH・クレーマーとともにノーベル物理学賞を受賞しました。また、この年には半導体集積回路の発明者として有名なJ・キルビーも同時にノーベル物理学賞を受賞しています。この年にノーベル賞を受賞した3人は今日の情報・通信社会の礎を築いた功労者といえるでしょう。ヘテロ接合技術はタンデム型太陽電池の他、LEDや半導体レーザ、パワートランジスタなどの動作でも極めて重要な役割を果たしており、携帯電話やDVDなど我々が毎日使っている身近な電気製品に使われています。
